STT-램(Spin Transfer Torque RAM: 스핀주입 자화반전 메모리)은 커패시터(Capacitor)를 대신하여 MTJ(Magnetic Tunnel Junction: 자기터널접합)이라는 2개의 층을 이루는 자성물질구조를 이용하여 0 또는 1을 기억하는 메모리로 NAND flash처럼 전원을 꺼도 저장된 신호를 잃어버리지 않는 비휘발성 특성을 갖고 있으면서도 S램이나 D램보다 고속으로 동작이 가능하여 기존의 D램 한계로 예상되는 30나노급 이하의 초미세 공정이 가능한 M램 기술의 진보된 형태의 메모리입니다.

M램은 신호를 저장하기 위해서는 별도의 Digit line이 필요하고 자화시에 이웃한 셀에도 영향을 미치는 등의 문제점을 가지고 있어서 실현되기 어려웠으나 1996년 IBM사에서 STT현상을 발견하여 오늘날의 STT-램이 급부상중에 있습니다. STT현상은 강한 전류가 높은 밀도의 강자성층을 통과할 때 자화방향이 전자의 스핀방향과 일치하지 않는 경우 이를 일치시키려고 하는 특성을 말합니다.